【2019白皮书】集成电路-三代半导体

• 和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是半导体材料领域有前景的材料。 

• 三代半导体产业链与传统半导体的产业链环节基本类同，包括上游的材料（衬底和外延）、中游的器件和模组、下游的系统和应用。化合物半导体与硅半导体制程最大差别在于外延生长过程比较复杂，需要经过基板厂商和外延厂商两道环节。 

• 目前氮化铝产品主要以粉体及陶瓷为主；氮化铝晶体由于制备难度较大，尚未达到工业生产的成熟度，可见的晶圆尺寸尚不到不到2英寸，且以薄膜产品为主。AlN陶瓷片主要用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，AlN薄膜主要用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。 

• 参照Yole和HIS MarKit的数据，2018年SiC电力电子器件市场规模约3.9亿美元，GaN电力电子器件市场约0.5亿美元，合计4.4亿美元，占整体电力电子器件市场规模的比例达到3.4%。据Yole统计，2018年全球3W以上GaN射频器件市场规模达到4.57亿美元，在射频器件市场（包含Si LDMOS，GaAs和GaN）的渗透率超过25%。预计到2023年市场规模达到13.24亿美元，年复合增长率超过23%。 

• 根据CASA统计，2018年中国市场SiC、GaN电力电子器件的市场规模约为28亿元，同比增长56%，预计未来五年复合增速38%，到2023年SiC，GaN电力电子器件的市场规模将达到148亿元。2018年，中国三代半导体微波射频电子市场规模约24.5亿元，较2017年同比增长103%。国内应用市场中，进口产品的占有率仍然超过90%，市场继续被国际电力电子器件巨头公司Cree、Rohm、Infeneon、Macom等公司产品占有，进口替代问题仍急需突破。 

• 三代半导体领域的创业企业必然较少，少数创业企业能坚持下来得益于地方政府的长期支持和背书。对于股权投资机构而言，尤其是追求短期财务回报的机构，三代半导体产业现阶段仍不适宜介入；具备深厚产业背景的产业投资更适宜三代半导体领域相关投资。

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